四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來(lái)源,用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。因?yàn)閷?dǎo)致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子,它被紫外線輻射擊中時(shí)會(huì)分離。碳-氟鍵比較強(qiáng),因此分離的可能性比較低。四氟化碳在900℃時(shí),不與銅、鎳、鎢、鉬反應(yīng),僅在碳弧溫度下緩慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015%(重量比),然而與可燃性氣體燃燒時(shí),會(huì)分解產(chǎn)生有毒氟化物。
因?yàn)樗姆己退姆?硅都是共價(jià)化合物,然而碳氟鍵的鍵能遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于硅氟鍵的鍵能,鍵長(zhǎng)也是前者短得多,所以四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。吸入四氟化碳的后果與濃度有關(guān),包括頭1痛、惡心、頭昏眼花及心血1管系統(tǒng)的破壞(主要是心臟)。長(zhǎng)時(shí)間接觸會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的心臟破壞。在900℃時(shí),不與銅、鎳、鎢、鉬反應(yīng),僅在碳弧溫度下緩慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015%(重量比),然而與可燃性氣體燃燒時(shí),會(huì)分解產(chǎn)生有毒氟化物。
隨著芯片制程向7納米邁進(jìn),細(xì)微雜質(zhì)對(duì)芯片的損害更為明顯,電子產(chǎn)業(yè)對(duì)高純電子氣體的純度要求進(jìn)一步提高,在此背景下,我國(guó)高純四氟化碳生產(chǎn)技術(shù)與產(chǎn)品質(zhì)量仍有提升空間。四氟化碳貯存注意事項(xiàng):氣瓶使用和檢驗(yàn)遵照《氣瓶安全監(jiān)察規(guī)程》的規(guī)定。氣瓶?jī)?nèi)的氣體不能全部用盡,應(yīng)該留不小于0.04MPa剩余壓力。我國(guó)人工智能、物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)仍在不斷擴(kuò)大,光伏發(fā)電累計(jì)裝機(jī)容量不斷上升,預(yù)計(jì)2020-2025年,我國(guó)高純四氟化碳市場(chǎng)需求將繼續(xù)以10.0%以上的增速增長(zhǎng)。
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